全球最小9奈米記憶體 台灣做到了

◆ 全球最小9奈米記憶體 台灣做到了
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/6035203.shtml

【聯合報╱記者蔡永彬／台北報導】2010.12.15

市面上的記憶體體積越做越小，容量越做越大。國家奈米元件實驗室昨天發布全球最小的記憶體新技術，只要食指指甲大小的一張晶片，就能把人一生聽過的十萬首歌或拍過的上百萬照片都裝進去。

這項「九奈米功能性電阻式記憶體陣列晶胞」研究成果，上周已在美國舊金山舉行的「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting，IEDM）上發表，大會並選為「重點宣傳論文」之一，當天的「日本經濟新聞」也有報導。

這項新技術大小只有九奈米，和現行的快閃記憶體（手機、相機裡的記憶卡或iPad裡的硬碟等）相比，容量增為廿倍、耗電只有兩百分之一。

奈米實驗室副研究員何家驊估算，未來一平方公分的晶片（面積只有目前相機ＳＤ卡的七分之一），容量就超過五百ＧＢ，甚至可達一點五ＴＢ，是目前一般記憶卡的數十到上百倍，能儲存兩百小時的ＤＶＤ影片、十萬首ＭＰ３音樂，或百萬張相片。

何家驊指出，傳統快閃記憶體不斷縮小，他預計明年上半年間，廿二奈米製程的記憶體就會開始量產。奈米實驗室的新技術利用鎢、二氧化鎢和三氧化鎢堆疊成「電阻式記憶體」（R-RAM）通道，外加電壓讓氧原子短距離移動，改變記憶體內部的電阻變化，交互組合後，就代表不同的儲存資料。

何家驊形容這項技術是「比Ｂ型流感病毒還要小約一百倍的完美工藝」，他表示，如果利用這項技術，把鎢和氧原子繼續往上堆疊，容量會再以倍數成長。

奈米實驗室主任楊富量表示，這項新技術預計在五至十年內進入量產，預計二○二五年新技術快閃記憶體的年產值可達到兩億台幣。



◆ 全球最小9奈米記憶體/一平方公分大 儲存一座圖書館
http://www.libertytimes.com.tw/2010/new/dec/15/today-life13.htm

自由時報 2010/12/15

〔記者湯佳玲／台北報導〕未來五百Ｇ硬碟可能只有一平方公分大！財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室，開發出全球最小的九奈米超節能記憶體陣列晶胞，記憶量比現行快閃記憶體增加二十倍，耗電量降低兩百倍，引起國際重視。

目前可攜式3C產品，不論是隨身碟、手機內的記憶卡或iPad的硬碟皆以三十二奈米的傳統快閃記憶體為主流，二十二奈米記憶體預估明年問世。

但是快閃記憶體從二十二奈米到十六奈米的微縮技術卻遇到瓶頸。

國家奈米元件實驗室今年開發出全球最小的九奈米電阻式記憶體陣列晶胞，研發團隊領導人何家驊組長表示，九奈米電阻式記憶體晶胞是比Ｂ型流感病毒還要小約一百倍的完美工藝，如果做成一平方公分的面積，可容納超過五千億顆記憶晶胞。在指甲般大小的晶片裡，可以儲存一百小時的3D立體電影或一百萬張照片或十萬首 MP3歌曲或兩百小時的ＤＶＤ影片，相當於可以儲存一個圖書館的文字資料。

何家驊說，全球快閃記憶體的市場約有一兆元新台幣，但是台灣產值占不到一％。他看好九奈米記憶體可能在十年內取代快閃記憶體而成為記憶體的主流，市場規模達兩兆，只要台灣專利佈局得宜，有機會拿下全球十％、也就是約兩千億元的市場。



◆ 9奈米超節能記憶體 台灣開發

中央社 2010/12/14

國家實驗研究院奈米元件實驗室（NDL）已開發出全球最小9奈米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加20倍，耗電量降低約200倍，5到10年將量產。

國研院長陳文華、交通大學校長吳重雨、國研院奈米元件實驗室主任楊富量，以及負責國研院奈米元件實驗室開發「9奈米超節能記憶體」的NDL奈米生醫與微機電元件組組長何家驊今天召開記者會，公布這項重大研究成果。

何家驊指出，目前的傳統快閃記憶體從2004年的90奈米持續發展，2010年已開發到32奈米，預計2011年將開發出22奈米；但是2013年將面臨技術瓶頸，只剩多層堆疊IC及電阻式記憶體兩種技術可持續使用、開發。

他說，他的研究團隊開發出的9奈米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，是利用三氧化鎢、二氧化鎢及鎢電極的新混合結構，以及氧原子推動低耗電原理，開發出全球目前最小的9奈米R-RAM，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍。

他強調，這種新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下，在1平方公分、僅約拇指指甲大小的面積內儲存1個圖書館的文字資料（約等同100小時3D立體電影、200 小時DVD影片、10萬首MP3、100萬張照片）；且可再藉立體堆疊設計，進一步提升容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，包含筆電都將輕薄化。

這項重要開發成果，已於12月8日在美國舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）正式發表，引起國際微電子產學研界高度重視，更被大會選為重點宣傳論文之一，並被其他國外電子領域專業協會如電機電子工程師協會(IEEE)、日本經濟新聞（BP）等列為重要報導。

何家驊預計，這項新技術5到10年內量產，可讓目前全球新台幣1兆元的傳統快閃記憶體產值達2兆元，並讓只是代工、需付權利金，使得產值僅占全球產值1%不到的台灣快閃記憶體產值占比提升到占全球產值的10%。

為達這些目標，何家驊說，NDL將在明年與產學研界共組「16-8奈米元件聯盟」，以其近年來所開發的奈米技術為基礎，提供台灣產學研界研發平台，加速互補式金屬/氧化層/半導體（CMOS）元件與記憶體元件的技術開發，並厚植台灣半導體科技的人才基礎。

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