http://www.physorg.com/news171648087.html
September 8th, 2009
基於單壁奈米碳管（SWNT）的場效應電晶體（Field-effect transistors，FETs）展現出一系列的光電效應，包括近紅外線的電致發光（electroluminescence，場致發光）。
此效應起因於電洞與電子自相對的電極注射到奈米管中，它們在此重新結合並發光。
更進一步理解在單壁奈米碳管中的電荷傳輸與影響電致發光效率之因素，為開發奈米級的光源所需。
Argonne 的奈米級材料中心與 Illinois 大學 Champaign 分校的科學家合作，利用高度校直的（aligned）單壁奈米碳管陣列證明了電致發光。利用電解質（electrolytes）而非傳統的氧化物介電質（oxide dielectrics）使注射及高密度電洞與電子的累積在極低閘極電壓下更容易。
所觀察到的眾多發光點與個別奈米管相符。
藉由將 HfO2 與 TiO2 薄層引入閘極介電質，能達成可額外調整的光電子學特性。
※ 相關報導：
＊ Electroluminescence from Electrolyte-Gated Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn9005736
Jana Zaumseil, Xinning Ho, Jeffrey R. Guest,＊ 以奈米碳管製成全世界最小的奈米白熾燈
Gary P. Wiederrecht and John A. Rogers
ACS Nano, 2009, 3 (8), pp 2225–2234
doi: 10.1021/nn9005736
＊ 「液態」 OLED 提供更多發光的可能性
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