Only Perception: 南韓 KIST 示範「自旋注射場效應電晶體」

2009-09-21

南韓 KIST 示範「自旋注射場效應電晶體」

SKoreans demonstrate spin-injected field effect transistor
http://www.physorg.com/news172478181.html

September 18th, 2009

法新社 -- 南韓科學家週五表示，他們已在高遷移率的砷化銦（InAs）異質結構（heterostructure）中證明了自旋注射場效應電晶體（spin-injected field effect transistor）。

在國營 Korea Institute of Science and Technology (KIST) 的研究者表示，這種新電晶體不僅使用電流的開與關狀態，也使用電子的自旋方向 -- 順時針或逆時針 -- 來處理資訊。其所消耗的能量比現有半導體少，而且為非啟動（no-booting）電腦開啟了方向。

首度在 1990 年代概念化，「自旋注射場效應電晶體」被視為要來取代傳統金屬氧化物半導體（場效應）電晶體（MOSFET）的次世代裝置。

"這款原型自旋電晶體為新電腦的開發鋪路，那不需要耗時的啟動過程，" 其中一位研究員，Koo Hyun-Cheol，向 AFP 表示。

KIST 從 2002 年起花了大約 800 萬美元開發這款電晶體。

KIST 已為這款電晶體在美國、日本與其他國家申請了專利。

這項突破發表在本週當期的 Science 期刊上。

※ 相關報導：

＊ Control of Spin Precession in a Spin-Injected Field Effect Transistor
http://www.sciencemag.org/cgi/content/abstract/325/5947/1515

Hyun Cheol Koo, Jae Hyun Kwon, Jonghwa Eom, Joonyeon Chang,
Suk Hee Han, Mark Johnson
Science 18 September 2009: Vol. 325. no. 5947, pp. 1515 - 1518
doi: 10.1126/science.1173667