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March 17th, 2009
(PhysOrg.com) -- 憶阻器(memristor,記憶電阻)是一種電腦元件,在一簡單封裝中提供記憶與邏輯功能。它有潛力使半導體產業改觀,使得更小、更快、更便宜的晶片與電腦成為可能。
一位 Michigan 大學電機工程師藉由打造一款由奈米等級憶組器所組成的晶片(可儲存 1 Kb 的資訊),往這個目標靠近一步。
先前,因為可靠性與可複製性(reproducibility)問題,只有數個憶阻器電路而非這麼大規模的陣列被證明過。雖然 1 Kb(1024 bits)並不是這麼大量的資訊,研究者們仍認為那是一種躍進,那將使得它更容易擴大這種技術,因而能夠儲存更多資料。
"我們基於矽憶阻系統(memristive system)證明了一種與 CMOS 相容的、超高密度的記憶陣列。這是重要的第一步," Wei Lu(音譯:呂煒)說,電機工程與電腦科學系助教授。CMOS 代表互補金氧半導體。那是現代微晶片中所使用的技術。
Moore's law(摩爾定律),技術將使得安裝在 IC 上的電晶體數量每二年就會加倍,那自 1960 年代中期至今都有效。在晶片上的電晶體愈多,晶片運作速度就會愈快。不過這會愈來愈難達到,Lu 表示。
"這種電晶體規模現在面臨數種實際與基礎上的挑戰,包括電晶體縮小時,所增加的功率耗損(power dissipation)、難以安排所有必要的互連以及最小化裝置變化的高成本," Lu 表示。"憶阻器有更簡單的結構且對於記憶體這樣的應用有吸引力,因為將較多數量的它們封裝在單一晶片上,以達成最高可能密度會更加容易。"
基於憶阻器之記憶晶片的密度至少會是一個數量級(十倍),高於目前基於電晶體的晶片。如此高密度之電路也能非常快速,Lu 說。例如,你可以將資料儲存在憶阻器記憶體上,其速度比儲存在今日的快閃記憶體要快上三個數量級(一千倍)。
憶阻器記憶體的另一種優勢是,它不像今日的 DRAM 那樣會揮發。DRAM 每秒就要覆寫好幾次,因為它會隨著時間消逝。憶阻器記憶體並不需要被覆寫。它更加穩定。
Lu 表示,憶阻器能為普適性記憶體(universal memory)開啟一扇門。且因為它們能被塞到 IC 上的密度如此之高,所以憶阻器也為強健的、在生物學上獲得靈感的邏輯電路,提供了希望。
在人類腦中的每一個神經元透過突觸與一萬個其他神經元相連,Lu 說。工程師無法憑藉今日基於電晶體的電路達成那種連結。但憶阻器電路或許有潛力克服這種問題。
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http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl8037689
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Nano Lett., 2009, 9 (2), pp 870–874
DOI: 10.1021/nl8037689
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