2008-07-02

微小電容器造就龐大記憶

Giant memory thanks to tiny capacitors
http://www.physorg.com/news133623217.html

June 25, 2008

德國--韓國研究團隊利用一種新製程製造出一種永久性記憶體,也因此創造了記憶密度的紀錄。

未來的電子裝置不但會漸漸變得更小、更輕而且還會更快、更強大。現在,由德國 Max Planck Institute of Microstructure Physics,韓國浦項科技大學(POSTECH)與韓國國家標準與科學研究院(KRISS)所開發的一種技術也許能協助達成這些目標。

這種新方法尤其能使密集封裝之記憶儲存器的製造成為可能。利用一種極細微的穿孔遮罩(perforated mask),研究者將鉑與鋯鈦酸鉛(lead-zirconate-titanate,PZT)製成的電容器以每平方英寸 176Gb 的密度進行封裝(housed)-- 是這種材料的世界紀錄。這種儲存器很容易控制且能將記憶永久儲存。以此材料製成的晶片也因此能取代當前的工作記憶體,那為了要維護位元得不停地更新。

無論是 MP3 播放器、相機手機、導航系統或筆電,這些不只都要密實,也要能儲存愈來愈龐大的影音、資料或地圖,而且要能夠十分迅速地處理它們。創新的記憶體將能促成這樣的進步,它能夠永久儲存資訊,但其處理資料的速度卻如同電腦上的 DRAMs 般迅速。 "這一類永久性記憶體,透過我們的方法可以很簡單且有效率地被製造出來," Dietrich Hesse 說,Max Planck Institute of Microstructure Physics 的科學家,他在研究團隊的研究中扮演要角。

這種透過德--韓共同合作而生產的永久性記憶體在每平方英寸苦儲存 176 Gb 的資訊,換算成每平方公分則是 27 Gb -- 比任何使用這種材料製成的、可相比的記憶體要更多。"我們正接近每平方英寸有數 Tb 的記憶密度,而且我們甚至希望能更進一步增加記憶密度," Dietrich Hesse 說。如此高的記憶密度為永久性記憶體更廣泛地被使用所需。它們能使,例如,硬碟與電腦冗長的開機過程成為過去。

此奈米電容滿足記憶應用的未來需求:科學家能精確地控制每個記憶體,即便它們之間的間隔不過 60 奈米。 "這項研究證明非傳統且先前被忽略的、來自於電子學研究相關領域的製造方法,代表著尋找高密度、固態記憶體的顯著進展," Ulrich Gosele 博士說,Max Planck Institute of Microstructure Physics 的所長。

此記憶體卓越的效能是其所根基的原理以及精密製造的成果:PZT 這種陶瓷材料是種鐵電物質。在這類物質中,所有單位胞(unit cells,一個結晶體的最小部份)具有永久的電偶極(electrical dipoles)。這些可與鐵中的磁偶極相比較,它們的名由此而來。如同磁鐵的南北極,一個永久電偶極的正極與負極可以互換 -- 但快很多。

這種材料也因此如同硬碟那樣能永久地儲存資料,但處理它的時候,卻如同工作記憶體般迅速。透過外部電場,在攝氏 460 度以下,鋯鈦酸鉛可讓一個鈦被移入單位胞中。高於這個溫度,在外部沒有介入的情況下,偶極會不斷地改變方向。

科學家接著造出一個 100 奈米厚的、利用氧化鋁製成的穿孔遮罩,以便在一平方英寸上將 1760 億個由這種鐵電材料製成的電容封裝。為了辦到這件事,他們透過電化學將鋁薄膜氧化,這種方法稱為 Eloxal process(鋁表面陽極氧化法),那已用了幾十年,為鋁零件提供一層保護性的外層,賦予鋁餐具甚至是某些 MP3 播放器一種無光的(matt)金屬光澤。在這種過程中,細孔通常會以一種隨機圖案侵蝕氧化鋁。然而,透過小心選擇溫度、pH 值與氧化中的組成,研究者迫使細孔變成一種六角形的排列,在這裡每個細孔都被其他六個細孔所環繞。然而,此六角形圖案有些地方歪曲,這使它無法當成記憶體的遮罩使用。"若我們事先以沖壓機塑造鋁的外型,這些細孔自身會以完全規則的樣式排列," KRISS 的 Woo Lee 表示。這種沖壓機包含數十億個點,那在鋁上留下數量相等的凹陷。這些凹陷也能幫助氧化,提供細孔一個侵蝕金屬的起點。

即使有細微的穿孔遮罩,此製程仍不完整。位於(德國)Halle 的科學家將遮罩放在氧化鎂的板子上加熱到攝氏 650 度。這個板塗佈了一層鉑,並當成一種支撐。他們接著透過雷射在一種完美平衡地 PZT 比率下蒸發它,直到這種陶瓷在鉑上沈積 30 - 50 奈米。一層薄薄的鉑完全覆蓋電容器,其中,貴金屬層當成一種電極,而陶瓷則當作是介電材料。"原則上,我們也能使用其他材料當作電極," Dietrich Hesse。移除這層薄遮罩也不會產生無法克服的障礙。為了這麼做,科學家們必須小心讓不它(遮罩)破裂,留下一部份在記憶體上。透過高度的技巧與一塊透明膠帶(scotch tape,譯註:原為 3M 的商品名),他們很容易地移除這層遮罩。"非常棒地,這種以鉑還有 PZT 所做成的獨特三明治並沒有陷入孔中," Dietrich Hesse 提到。"我想,這些被我們加熱到攝氏 650 度的電容器,當我們在室溫下移除遮罩時已經冷卻收縮了。"(後略譯)

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1 則留言:

fsj 提到...

工研院、IBM 合作研發新世代記憶體

中時電子報╱涂志豪/台北報導 2008-09-18

工研院與IBM昨日共同簽署合作合約,由工研院副院長李世光、IBM研發副總裁陳自強等代表簽約,未來雙方將共同投入磁性非揮發性記憶體Racetrack的研發工作。工研院表示,Racetrack記憶體可實現開機立即使用的功能,並讓現有的行動裝置儲存容量增大100倍,一旦研發完成後,可望取代每年300億美元的NAND快閃記憶體、250億美元的傳統硬碟等市場。

李世光表示,消費性電子產品對行動儲存的需求愈來愈高,但傳統硬碟有開機慢、不易攜帶的問題,快閃記憶體則有讀寫次數限制,存取千次以上就可能發生故障,因此記憶體業者都在尋求新的解決方案。工研院與IBM合作的Racetrack記憶體,同時具有硬碟的低成本、高密度,以及NAND的隨意讀取、可靠性高等特性,可望成為取代硬碟及NAND的新世代記憶體。

陳自強表示,Racetrack記憶體是IBM發展磁性記憶體以來的新突破,且容量可達目前行動裝置儲存容量的100倍,可儲存50萬首歌曲或3,500部電影,是半導體市場中,可望取代傳統硬碟及NAND快閃記憶體的新興記憶體之一。

Racetrack記憶體是IBM以金屬自旋電子學(spintronics)研究發展出來的磁性記憶體,將傳統儲存晶片利用的電荷,改為利用磁場的變化方式,來進行資料的儲存。相較於傳統的硬碟需利用許多可移動的部件來存取,或NAND等儲存上會有損耗的問題,Racetrack記憶體是使用電子的自旋來儲存資料,沒有磨損的問題,也可以無限制的讀寫,很有機會用來取代傳統的硬碟及NAND。