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October 24, 2008
(PhysOrg.com) -- 在資訊時代裡,儲存容量的增加對於科技來說是個重要的挑戰。一個德國與義大利研究者所組成的團隊,透過探索「奈米結構化儲存域(nano structured storage domains)」來追趕這個目標。
一如科學家,由位於義大利 Bologna CNR 的 Massimiliano Cavallini 以及德國 Forschungszentrum Karlsruhe 的 Mario Ruben 所領導,在 Angewandte Chemie 當中的報告,他們已能在矽氧化物晶片上製造出自旋轉變(spin-transition)複合物的可靠奈米圖案(nanopattern)。這是朝向新一代分子儲存媒體決定性的一步,其中,二進位資料是以電子自旋的「交換(switching)」來儲存。
目前,電腦硬碟透過磁化一旋轉碟片的表面來儲存資料。每個儲存格(storage cell)都有一「位址」,故所儲存的資料能直接被存取。為了增加儲存容量,個別的磁域(magnetic domains)造得愈來愈小;無論如何我們終將到達極限。熱刺激間或導致某些磁性粒子翻轉成其他方向。當磁域很小時,整個儲存格會迅速失去其磁化。
為了達到更高的資訊密度,我們可變更為其他可交換的材料特性,例如在二自旋態之間的轉變。例如鐵(II)複合物可存在於高或低自旋態。「交換(Switching)」(flipping,翻轉)可由溫度、壓力或電磁輻射的改變來控制。
除了二種可區別的狀態來代表 0 與 1 之外,資料儲存亦需要賦予每一個儲存地點獨一無二的位址,那能夠被電腦上的光學讀寫單元所確認。這需要一種界面,使得分子交換單元的奈米級自旋態轉變與微米級的儀器環境相容。如果自旋轉變複合物能夠放入微米或奈米結構中,這是有可能的。
藉由使用特別的、非常規的微米與奈米微影術技術,該團隊能夠將中性鐵(II)複合物以非常細的線條「印」到矽晶圓上。在這種過程中,奈米結晶體將它們自己組織成偏好沿著線條的方向。此外,研究者能夠將已錄音 CD 的圖案轉移到這種鐵複合物的薄膜上。這是有可能以自旋轉變複合物產生可讀取之邏輯圖案的第一個證明。
為了讓這種條紋結構在技術上有用,這種交換過程必須要能夠適應於室溫環境;在這之前的研究已經是一個領先的階段了。
※ 上面有些譯法仍須大家定奪。相關報導:
* Micro- and Nanopatterning of Spin-Transition Compounds into Logical Structures
http://dx.doi.org/10.1002/anie.200802085
Massimiliano Cavallini, Dr., Ilaria Bergenti, Dr.,* IBM 推出新記憶體 10 年內終結硬碟
Silvia Milita, Dr., Giampiero Ruani, Dr., Ivan Salitros,
Zhi-Rong Qu, Rajadurai Chandrasekar, Mario Ruben, Dr.
Angewandte Chemie International Edition, Volume 47 Issue 45,
Pages 8596 - 8600, Published Online: 1 Oct 2008
DOI: 10.1002/anie.200802085
* DNA+奈米粒子 壓印微滴可自組超晶格
* MIT 以病毒開發出如細胞般大小的電池
* 微小電容器造就龐大記憶
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